功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。

功率器件IGBT工艺流程

1.基板 2.B+注入

使用离子注入设备

3. 绝缘膜形成

通过CVD形成掩膜

4.掩膜用绝缘膜 加工

通过刻蚀和去胶处理绝缘膜

5.P+注入

使用离子注入设备

6.形成沟槽

通过刻蚀形成沟槽

7.形成绝缘膜

通过CVD形成绝缘膜

8.绝缘膜加工

通过刻蚀和去胶处理绝缘膜

9.形成Emitter电极

通过溅射或蒸镀形成电极

10.形成P+FS层

通过离子注入设备形成

P+FS层

11.形成B+（Collector）

通过离子注入设备形成B+（Collector）

12.形成Collector

通过溅射或蒸镀形成Collector